DDR4 DRAM là thế hệ sản phẩm bộ nhớ tiếp theo có khả năng tiêu thụ ít năng lượng hơn trong khi khả năng di chuyển dữ liệu của sản phẩm nhanh hơn gấp 2 lần so với DDR3 DRAM hiện tại.

Thiết bị hoạt động ở tốc độ nhanh nhất là 2.400 Mbps (megabit/giây), tức là nhanh hơn 80% so với sản phẩm DDR3 1.333 Mbps. Các module sản phẩm hoạt động ở mức điện áp thấp là 1,2 V và băng thông mở rộng lên đến 19,2 GB (Gigabyte) với I/O 64-bit.

Hynix có kế hoạch bắt đầu sản xuất khối lượng lớn sản phẩm DDR4 hiệu suất cao này trong nửa cuối năm 2012.