Được biết đến như một công ty luôn đi tiên phong trong ngành công nghiệp sản xuất chíp nhớ của thế giới, Samsung cho biết sẽ đưa vào sản xuất hàng loạt chíp nhớ flash 3D Vertical NAND (V-NAND) đầu tiên trên thế giới.
Kiến trúc mới sẽ giúp thế hệ chíp nhớ tiên tiến của Samsung phá vỡ rào cản về hiệu suất và giới hạn lưu trữ hiện có trên cấu trúc các chíp nhớ flash NAND cũ. Được thiết kế dựa trên công nghệ Charge Trap Flash (CTF), các các lớp ô nhớ phẳng được xếp chồng lên nhau theo phương thẳng đứng như cấu trúc 3D. Điều này giúp các chíp nhớ có thể dễ dàng mở rộng bằng cách tăng thêm các lớp mà kích thước vẫn không thay đổi . Để liên kết các "tầng" cell trong sản phẩm, Samsung sử dụng một công nghệ nội liên kết cũng theo chiều dọc có khả năng kết nối tối đa 24 cell với nhau.
Với cùng kích thước một chíp NAND thông thường như hiện nay, các chíp nhớ V-NAND dung lượng lưu trữ cao gấp đôi, tức mỗi chíp có chứa 128 Gigabit hay 16 Gigabyte dữ liệu. Chíp 3D V-NAND sẽ được sử dụng cho một loạt các thiết bị điện tử tiêu dùng lẫn trong doanh nghiệp, bao gồm cả các bộ lưu trữ chíp nhúng NAND và ổ cứng SSD. Cung cấp độ ổn định cao hơn từ 2 đến 10 lần, tốc độ ghi nhanh hơn gấp 2 lần so với thế hệ chíp cũ (theo tài liệu Samsung).
Samsung cho biết công nghệ mới sẽ giúp các nhà sản xuất tiết kiệm được chi phí sản xuất và rút ngắn thời gian phát triển sản phẩm. Và hy vọng chúng sẽ góp phần phát triển hơn nữa ngành công nghiệp bộ nhớ toàn cầu trong thời gian tới.
